只留磁控溅射是目前应用最广的镀膜方法之一，首先备好规定厚度尺寸的（0.4~1.3mm）超薄玻璃片，经去离子水洗、超声波洁净，进入真空室后，先进行SiO2镀制，然后进入ITO镀膜室镀制ITO 膜，经加热固化退火后获得成品。ITO导电膜玻璃全工艺过程均在高真空状态下洁净无尘通过Ar(氩)和O2（氧）气体，经过磁控溅射作用，在玻璃基片表面沉积氧化铟锡薄膜及加热退火后而制成。在镀膜工艺生产时，注意ITO膜主要特性是透明和导电，影响这两个指标的最主要因素有溅射电压、沉积速率、基片温度、溅射压力、氧分压及靶材的Sn/In组分比。因此，在镀制ITO透明导电膜时，应尽可能采用低电压溅射，防止膜层因受离子轰击而损伤，使膜层电阻增大及形成低价黑色氧化物InO,降低了ITO玻璃的透光率。
用直流磁控溅射进行连续镀ITO膜层，具有膜层厚度均匀、易控制、膜重复性好、稳定、适于连续生产、可镀大面积、基片和靶相互位置可按理想设计任意放置、可在低温下制取致密的薄膜层、可采用合金靶反应溅射、也可采用氧化靶直接溅射等诸多优点。该方法适用于大规模工业化生产，ITO透明导电膜玻璃质量好，规格品种多，耗能低。
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