将需要蒸发的合金材料制成细粒或粉末状，让其一颗一颗地落到高温的坩埚中，每个颗粒在瞬间完全蒸发掉。这种方法也适用于三元、四元等多元合金的蒸镀，可以保证膜层组分与膜材合金相一致。但是，对闪蒸蒸镀法的蒸发速率的控制比较困难。
⒉多蒸发源蒸镀法
在制备由多种元素组成的合金薄膜时，原则上可以将这几种元素分别装入各自的蒸发源中，同时加热并分别控制蒸发源的温度，即独立控制各种元素的蒸发速率，以便保证沉积膜层的组分。这种方法要求各个蒸发源之间要屏蔽，防止蒸发源之间相互污染。
⒊ 反应蒸镀法
反 应蒸镀法是将活性气体引入镀膜室，使活性气体的原子、分子和从蒸发源蒸发出来的膜材原子、分子发生化学反应，从而制备所需要的化合物薄膜的一种方法。粒子 间的化学反应可以在空间（即气相状态）也可能在基片上进行，或者两者兼有，不过，一般认为在基片上进行化学反应的几率较大。该反应与蒸发温度、蒸发速度、 反应气体的分压及基片的温度等因素有关。作为蒸发源的膜材可以是金属、合金或化合物。反应蒸镀法主要用于制备高熔点的绝缘化合物薄膜。
例如，在蒸发Ti时加入C2H2气体，可获得硬质膜TiC，其反应式为
2Ti+ C2H2→2TiC+H2
而在蒸发Ti时加入N2,可获得硬质膜TiN,其反应式为
2Ti+N2→2TiN
又如，蒸发SnO2-In2O3混合物时加入一定量的O2，可获得ITO透明导电膜。下表列举了用反应蒸镀法制备化合物薄膜的工艺条件。
| 薄膜 | 膜材 | 蒸发速率/nm·s-1 | 反应气体 | 反应气体压力/Pa | 基片温度/℃ |
| Al2O3 | Al | 0.4～0.5 | O2 | 10-3～10-2 | 400～500 |
| Cr2O5 | Cr | 约0.2 | O2 | 2×10-3 | 300～400 |
| SiO2 | SiO | 约0.2 | O2或空气 | 约10-2 | 100～300 |
| Ta2O5 | Ta | 约0.2 | O2 | 10-2～10-1 | 700～900 |
| AIN | Al | 约0.2 | NH３ | 约10-2 | 300（多晶） 400～1400（单晶） |
| ZrN | Zr | N2 | |||
| TiN | Ti | 约0.3 约0.3 |
N2 NH３ |
5×10-2 5×10-2 |
室温 室温 |
| SiC | Si | C2H2 | 4×10-4 | 约900 | |
| TiC | Ti | C2H2 | 约300 |
在 制备化合物半导体薄膜时，基片温度对膜层的结构和物理性能的影响是很明显的，因此在制备二元化合物半导体单晶膜时，必须控制基片温度。在这种情况下，将两 种膜材分别装入各自的蒸发源内，分别独立的控制两个蒸发源和一个基片的温度（共计三个温度）进行蒸发，故称三温度蒸镀法。这种方法主要用于制备GaAs等 Ⅲ～Ⅴ族化合物半导体单晶薄膜。
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